產品中心
當前位置:首頁 > 產品中心 > 沖擊電壓發生器 > 變壓器沖擊電壓發生器 > 900kv沖擊電(dian)壓(ya)發生器(qi)無局放變壓(ya)器(qi)
簡(jian)要描述:沖(chong)(chong)擊電(dian)壓(ya)發生器成套(tao)(tao)裝(zhuang)置適用于(yu)220kV及以下電(dian)壓(ya)等級(ji)的空(kong)氣間隙、復(fu)合絕緣子、套(tao)(tao)管、盤型(xing)懸式(shi)絕緣子、互感器等試品的雷(lei)電(dian)沖(chong)(chong)擊電(dian)壓(ya)全波和雷(lei)電(dian)沖(chong)(chong)擊陡(dou)波及標準操作波試驗。
相關文章
詳細介紹
品牌 | 國華 |
---|
沖擊電壓發生器成套裝置使用條件
海拔(ba)高(gao)度:不(bu)超過(guo)1000米
環境(jing)溫度:-25℃—+40℃
相對濕(shi)度:不大于85%
zui大日溫差:25℃
使用環境:戶內
無導電塵埃
無火災(zai)及爆(bao)炸危(wei)險
無腐(fu)蝕金屬和(he)絕(jue)緣的氣體
電(dian)源電(dian)壓的波(bo)形(xing)為(wei)正弦波(bo),波(bo)形(xing)畸變率<5%
接地電阻不大于0.5Ω
對周圍(wei)安全距離(li)不小于2米
遵循標準
GB/T 311.1-1997 高壓輸(shu)變電設備(bei)的絕緣與配(pei)合
GB/T 16927.1 高電壓試驗技術 *部分 一般試驗要求
GB/T 16927.2 高電(dian)壓(ya)試驗技術 第二部分 測量系統
GB/T 16896.1 高電壓沖擊試驗用數字記錄儀
ZBF 24001 沖擊電壓試驗實施(shi)細則
JB/T 7616 高壓(ya)線路絕緣(yuan)子陡波沖(chong)擊耐受(shou)試驗
DL/T 557 高電壓線(xian)路絕緣子陡波(bo)沖擊試驗、定(ding)義、試驗方法和(he)判據(ju)
GB 1000.1-1988 高壓線路(lu)針式瓷絕緣子(zi) 技術條件
GB/T 775.2-2003 絕緣(yuan)子試(shi)驗方(fang)法(fa) 第2部分: 電氣(qi)試(shi)驗方(fang)法(fa)
GB/T 2900.8-1995 電(dian)工術語 絕緣(yuan)子
GB/T 7253-2005 標稱電壓高(gao)于1000V的架空線路絕緣(yuan)子 交流系統用瓷或(huo)玻璃絕緣(yuan)子件 盤形懸式絕緣(yuan)子件的特性(xing)
GB 1001-1986 盤(pan)形(xing)懸式(shi)絕(jue)緣子技術(shu)條件
GB/T 20642-2006 高壓線路絕緣子(zi)空氣中沖擊(ji)擊(ji)穿試驗(yan)
沖擊電壓發生器成套裝置額定參數(shu)值
標(biao)稱電壓:±900kV
級電壓:±150kV
額定能量:21.9kJ
每(mei)級主電容: 0.325μF 150kV(單臺(tai)脈沖電容器0.65μF/75kV)
沖擊總電(dian)容:0.05417μF
總級數:6級
負荷電容:300-2000PF以(yi)下(xia)能產生以(yi)下(xia)幾種波形
1、標準(zhun)雷(lei)電(dian)(dian)沖擊電(dian)(dian)壓全波(bo)(bo),±1.2/50μs電(dian)(dian)壓利用系數>90%(空載);波(bo)(bo)頭時間1.2±30%微秒(miao),波(bo)(bo)尾時間50±20%微秒(miao)。
2、1000~1500V/nS合成絕(jue)緣子陡(dou)波沖擊電壓,zui大幅值600kV。
3、盤形懸式絕緣(yuan)子 2.8p.u.
4、針式絕緣子 2.0p.u.
5、柱(zhu)式絕(jue)緣子 2.3p.u.
這(zhe)幾種沖(chong)擊電壓波形(xing)參數及其(qi)偏差均符(fu)合(he)有關(guan)國家GB311及GB16927標(biao)準的要求(qiu)。
主(zhu)要(yao)部件
充電部(bu)分(fen)
采(cai)用恒流充(chong)電裝置(zhi)
采用絕緣筒油浸式充電變壓(ya)器,原邊電壓(ya)220V,副邊電壓(ya)80kV,額定容(rong)量5kVA,變壓(ya)器密封良好,無滲漏油;
采用(yong)2DL-200kV/100mA的高壓整流(liu)硅(gui)堆;
充電(dian)極性由電(dian)機驅動自動轉換;
高壓整(zheng)流硅堆保護電阻采(cai)用漆包電阻絲有(you)感密(mi)繞在(zai)絕緣管上;
沖(chong)擊發生(sheng)器(qi)本體
采(cai)用不對稱倍壓充(chong)電方(fang)式,額定輸(shu)出電壓±150kV;
恒(heng)流充電(dian)裝置在20%~100%額定充電(dian)電(dian)壓范(fan)圍內(nei)
實際充電電壓(ya)與整定電壓(ya)偏差不大于±1%,充電電壓(ya)的不穩定性(xing)不大于±1%,充電電壓(ya)的可(ke)調精度為1%;
直流電阻分壓(ya)器(qi)采用(yong)150kV,300MΩ油浸式金屬膜電阻,低壓(ya)臂(bei)電阻裝在分壓(ya)器(qi)底法蘭內,低壓(ya)臂(bei)上的電壓(ya)信(xin)號用(yong)屏(ping)蔽電纜引入(ru)控制(zhi)臺內。
自(zi)(zi)動(dong)接地(di)開關(guan)采用電(dian)磁鐵分(fen)合接地(di)機構,試驗停(ting)止時可(ke)自(zi)(zi)動(dong)將主電(dian)容器(qi)經保護電(dian)阻接地(di)。
恒流(liu)充電的電感、電容(rong)裝在(zai)(zai)控(kong)制臺內,充電變壓(ya)器、高(gao)壓(ya)整流(liu)硅堆、保(bao)護電阻、自動(dong)(dong)換極性裝置、自動(dong)(dong)接地開關和絕緣支柱等安裝在(zai)(zai)一移動(dong)(dong)式底盤(pan)上(shang)。
產品咨詢